hdp是什么意思

hdp有三种不同的含义。第一种是硬件发展计划，第二种是“鱼叉”导弹数据处理器，第三种是高破坏力。此外，市面上出现的hdp直播与以上三种含义不同，仅代表自身商用命名。

hdp直播是什么

hdp直播是一款针对智能电视、电视盒子(网络机顶盒)、智能投影设计的直播应用。通过该软件，能够免费看到全国各地的电视节目。

hdp直播是一款安卓应用，专为白电视机顶盒精心设计，专注于直播。产品体积小，界面简单，拥有600多个网络通道，每天更新。

hdp直播的特点：1、直播内容多。2、换台速度快。3、界面操作简单。4、视频清晰度高。hdp中的每个频道都很清晰，和原节目频道区别不大。

电厂电气常用符号及含义大全

在热力发电厂中常用符号所代表的含义是什么？这对于我们每个需要计算指标的人来说，有很重要的意义，下面我们就收集了部分常用的符号，罗列在这里，供大家选用，希望能为我们的工作带来方便。资料来源于网络，仅供大家分享学习之用！

热力发电厂符号表

符号 含义

AΔ、Arh AΔ=Δwa/wa, 附加循环动力系数

a 喷水系数

asg 轴封漏气

alv 门杆漏气

atp 热化系数

bcp 全厂煤耗率，kg/(kW.h)

bscp 全厂标准煤耗率，kg标煤/(kW.h)

bsd 尖峰锅炉煤耗率，kg标煤/(kW.h)

bse,c 凝汽流发电Wc的标准煤耗率，kg标煤/(kW.h)

bsav 平均标准煤耗率

bstp（h） 热电厂锅炉煤耗率，kg标煤/(kW.h)

B Bkg/h给煤量

BD 锅炉排污扩容器

BH 基载热网加热器

BP 升压泵

β 由于回热抽汽而增大的汽耗系数

βtp（1） 热电分摊比，分配到供热的热耗量占热电厂总热耗量的份额

βtp（2） 热电分摊比，分配到供热的热耗量占热电厂总热耗量的份额

CP 凝结水泵

D0’ 汽轮机汽耗量

Db 锅炉蒸发量

Dbl 锅炉排污量、连续排污量

Df 扩容蒸汽（kg/h）

D‘bl 未扩容的排污水量（kg/h）

Dby 额定参数下旁路阀通过的蒸汽流量

Dc0 机组纯凝汽（无回热抽汽）运行时的汽耗

Dej 蒸汽抽汽器汽耗量（射汽抽气器新汽耗量）

Dfw 全厂给水量

Dl 汽水工质损失

Dlv 门杆漏气

Dma 全厂补充水量（kg/h）

Drtp 进入减温减压器的蒸汽流量

Dsg 轴封冷却器汽耗量

DC 疏水冷却器

DE 除盐装置

DP 疏水泵

e 相对热化发电份额

ein，eout 流进，流出设备的比火用, kJ/kg

Esup 供入系统的可用能

FC 给水冷却器

FP 给水泵

g 1kg煤的产汽量，kg汽/kg煤

Gbyw 减温用喷水量

hc 排汽焓

h’c 主凝结水比焓

h’bl 排污水比焓，即汽包压力下的饱和水焓（KJ/kg）

h’f 扩容压力下的饱和水焓（KJ/kg）

h’’f 扩容压力下的饱和汽焓（KJ/kg）

hj 各级抽汽焓

h’j 各级疏水焓

hw,j 各加热器出口水比焓

hw,ma 排污冷却器进口补充水比焓

hcw,ma 排污冷却器出口补充水比焓

hdwj 各级疏水冷却器出口水比焓

HD 高压除氧器

HDP 热网疏水泵

HIS 工艺热负荷

HMP 热网补充水泵

HP 热网水泵

MD 大气压力除氧器

MFT 主燃料跳闸

ηcp 全厂热效率、全厂发电热效率、全厂毛效率

ηncp 全厂供电热效率、全厂净效率

ηn 净热效率

ηe 汽轮发电机组绝对电效率

ηf 扩容器效率

ηg。pu。从发电机至拖动给水泵电动机的效率

ηhs 热网效率

ηi 汽轮机绝对内效率

ηr 排污冷却器效率

ηri 汽轮机相当内效率

ηriDT 小汽轮机相当内效率

ηt 理想循环热效率

ηtp（h）联产供热的热效率

ηct 卡诺循环效率

ηet 循环火用效率

ηΔ 附加循环效率

pd 除氧器额定工况时工作压力

pf 锅炉连续排污扩容器压力

prh,i 高压缸排汽压力

p0op 最有利初压

p0ec 经济上最有利初压

Pax 汽轮机轴端机械功率，kW

Pe 发电机功率

Phr 供热机组额定热化发电功率，kW

PH 峰载热网加热器

q 机组热耗率，kg/kw.h

q0 机组比热耗kJ/kg，q= d * q 0

Δq0 附加循环吸热量

q1 标准煤低位发热量，q1=29270kJ/kg

qcp 全厂热耗率，kJ/(kW.h)

qj 回热加热器的蒸汽放热量

Q0 汽轮机热耗，kJ/h

Qc0 1kg凝气流比热耗

Q1 外部热源供给的热量

Qb 锅炉热负荷，kJ/h

Qcp 全厂供热量、全厂热耗，kJ/h，Qcp=Bq1

Qh 采暖热负荷

Qhtr 供热机组的额定供热量，GJ/h

Qhw 热水供应热负荷

Qns 非季节性热负荷

Qs 季节性热负荷

Qsa 全年供热量

Qv 通风热负荷

rj 疏水放热量

Rtp 热电厂的热电比

RP 返回水泵

SC 蒸汽冷却器

SG 轴封冷却器

SP 启动循环泵

ti 建筑物的室内计算温度

tod 当地的采暖室外计算温度

ts 当地开始采暖的室外温度

tv 泵入口水温

T1 热源温度

Ten 冷源（环境）温度

TB 加热管束

TD 小汽机

TP 前置泵

wi 比内功，kJ/kg, wi =Wi/Do

Wa 该动力装置的理想比内功（以热量计）

WB 热水锅炉

Wcs 背压机组热电联产中电力系统补偿的不足发电功

Wi 汽轮机实际比内功率，kJ/h

Whi 内部热化发电量（各回热抽汽的发电量）

Who 外部热化发电量（对外供热蒸汽的热化发电量）

X Wh/W，热化发电和总发电量的比

Yj 回热抽汽做功不足系数

τ 给水被加热焓升

τu 全年设备利用小时数

τuh 全年设备利用小时数

ξap 厂用电率，ξap =Pap/Pe, %

ψ1 同时系数

ψ2 负荷系数

φ 回水率

ω 供热式机组的热化发电率

ΣAej 循环中各项不可逆因素导致的各项可用能损失之和

ΣQj 循环中各项能量损失之和

Σζj 各项能量损失系数之和

ΔBea 联产发电节约标准煤

Δwa 附加循环的以热量计的理想比内功

Δepu 给水泵火用损

Δer 加热器内换热火用损

Δhfp 以热量计给水泵泵功，kJ/kg

Δs 不可逆过程的熵增，kJ/（kg。K）

Δqc 比冷源热损失，kJ/kg, = ΔQc/ D0

ΔTr 加热器换热温差

ΔQc 冷源热损失

Δτfp 给水泵功使给水焓升

Δτfw 给水泵耗功使给水焓升

序号

大写

小写

英文注音

国际音标注音

中文读音

意义

1

Α

α

alpha

a:lf

阿尔法

角度；系数

2

Β

β

beta

bet

贝塔

磁通系数；角度；系数

3

Γ

γ

gamma

ga:m

伽马

电导系数（小写）

4

Δ

δ

delta

delt

德尔塔

变动；密度；屈光度

5

Ε

ε

epsilon

ep`silon

伊普西龙

对数之基数

6

Ζ

ζ

zeta

zat

截塔

系数；方位角；阻抗；相对粘度；原子序数

7

Η

η

eta

eit

艾塔

磁滞系数；效率（小写）

8

Θ

θ

thet

θit

西塔

温度；相位角

9

Ι

ι

iot

aiot

约塔

微小，一点儿

10

Κ

κ

kappa

kap

卡帕

介质常数

11

Λ

λ

lambda

lambd

兰布达

波长（小写）；体积

12

Μ

μ

mu

mju

缪

磁导系数微（千分之一）放大因数（小写）

13

Ν

ν

nu

nju

纽

磁阻系数

14

Ξ

ξ

xi

ksi

克西

15

Ο

ο

omicron

omik`ron

奥密克戎

16

Π

π

pi

pai

派

圆周率=圆周÷直径=3.14159 26535 89793

17

Ρ

ρ

rho

rou

肉

电阻系数（小写）

18

Σ

σ

sigma

`sigma

西格马

总和（大写），表面密度；跨导（小写）

19

Τ

τ

tau

tau

套

时间常数

20

Υ

υ

upsilon

jup`silon

宇普西龙

位移

21

Φ

φ

phi

fai

佛爱

磁通；角

22

Χ

χ

chi

phai

西

23

Ψ

ψ

psi

psai

普西

角速；介质电通量（静电力线）；角

24

Ω

ω

omega

o`miga

欧米伽

欧姆（大写）；角速（小写）；角

随便写一些关于晶体管的工艺的进阶/科普

不知道从哪儿讲起好，毕竟我几百年没写作文了呜呜呜

凑合看，爱看不看，贼枯燥

先从光刻讲起

光刻是集成电路制造中的一个关键步骤，利用了光化学反应原理，把掩膜上的图形转印到一个衬底上，使其选择性的刻蚀与离子注入成为可能。（科普了算是）

集成电路是依靠所谓的平面工艺一层一层制备起来的（看上次写的），对于逻辑电路来说，首先是得在Si衬底上划分制备晶体管的区域，然后再离子注入P型/N型区域，其次是做栅极，随后又是离子注入，完成每一个晶体管的源级与漏级，这部分叫做前道工艺（FEOL)

不讲太详细，直接讲如何更细吧

首先要知道，光会有衍射问题

一个正常的光刻模拟

如果你原来的design，不经过opc修正，直接在mask上litho去wafer，那么就会形成和你原来的design完全不一样的图形，但是如果你用了opc，那么design多次opc修正后修正到最后的mask，和你原来的design就几乎差不多了（因为基本不一样，一些地方还是会与design不一样）

opc的修正流程

a：原设计 b：不使用opc c：使用opc

Opc基本分两种技术路线，rules based（RB）和model based（MB）

不opc的话就会：

RB

rules based就是经验算法，代工厂多年的经验找出来的规律，比如你gate与gate之间间距不能小于多少之类，又快又好用，但是出现问题来修正的时候就很难受了

MB

Model based就是模型算法，他会有一套完全的光学模型来演算出最后在wafer上的图形最接近于design

波传播的时候，若被大小相近于波长之物阻挡，就会绕过该物体，若通过大小相近于波长的孔，就会以此孔为中心，形成环形波往前传递，然鹅在CD越小的时候，fin边上的褶皱线条（LER Line Edge Roughness）就会越明显，opc只是修复systematic error，而LER只是一种 rendom error，这是光学的特色，若不控制，就会导致line桥接/变窄/中断

LER/LWR

出现的问题

如何修复LER/LWR(Line Width Roughness）呢，得用H2plasma/VUV转化，

如何更细

在1.35na的193nm浸没式光刻机根据瑞丽公式得出其能提供36~40nm的半周期（half petch）分辨率，小于这个尺寸，就需要双重曝光/多重曝光来得到更小的制成，双重曝光目前经常在22,20,16,14节点上采用，多重曝光则在10nm以下的节点上采用，在EUV（13.5）没成熟之前（当然现在已经成熟了）就只能多重曝光

双重曝光（DE）

双重曝光，即DE，是指在光刻胶覆盖的地方分别进行两次曝光，流程简写为LLE,曝光，曝光，显影。例如：要想在200nm的时候做出50nm的1；1图形，先曝光一次，整体平移100nm，再曝光一次，好处是再相同的光刻胶中使用了两次，wafer在工作台上不移动，对准误差较小，缺点就是如果其空间的对比度较低/散射光（flare）很强，会导致不需要曝光的区域其收到的总强光会高于E0（光阻的脱保护值）

X/Y双极曝光

还有就是X/Y双级照明的双重曝光，LLE则实在同一纬度双次曝光，很奇怪（其实也不奇怪）的是，X级对水平线条的分辨率不好，Y级对垂直线条的曝光也不好，就可以先拆分成X/Y,让X做垂直，Y做水平，再次曝光，就得到了我们想要的图形

最新的就是ILT了，反演光刻技术（inverse lithography technique）使用两个掩膜，并可能的使用两种照明条件，总的图像就是双次曝光后形成的图像的叠加。

上面都是LEE的演化，就是两次曝光在一个光刻胶上再蚀刻，新一点就是LELE，字面意思，再新一点就是LFLE

LFLE

在第二次曝光之前添加了冻结（freeze），也就是固化，在第一次光刻制成之后，将化学固化材料覆盖在光刻胶图形上，固化后，涂覆第二层的光刻胶。固化层保护着第一次固化的gate

难点是在固化的时候，温度，以及固化材料的收缩，在微观结构下，任何1nm甚至10a的坍缩都是致命的，

固化有三种，化学/高温/紫外固化，化学高温就字面意思，紫外固化讲一下把

紫外线是172nm的，在193nm的光刻胶中只有有限的穿深，曝光时被光刻胶吸收，让其表面的有机聚合物发生分裂，产生自由基，自由基重新反应成为交联键。

LFLE

三重曝光，就是LELELE,基本都在M1层，因为其最小周期基本在44-48nm左右，难的就是拆分。

SADP

SADP即使自对准双重成像技术，一次光刻后，相继使用非光刻工艺步骤，如薄膜乘积，刻蚀等，实现倍增的光刻图形，最后再用一次光刻与刻蚀把多余的图形去掉。

SADP的步骤

具体的步骤：先在衬底表面沉积一层牺牲材料，一般是CVD，然后进行光刻与刻蚀，把图形转到牺牲材料上，其图形叫mandrel或core，使用ALD（原子沉积技术）在mandrel的侧面与表面沉积一层厚度均匀的薄膜，称为 spacer，再使用反应离子刻蚀工艺把spacer刻蚀掉，这个步骤叫etch back，由于mandrel侧壁的几何效应，沉积在图形两侧的材料会被留下来，形成spacer，再用选择性强的把mandrel给去掉，只留下spacer在衬底表面，周期是光刻图形的一般，最后再用等离子刻蚀把spacer图形转移到衬底里的硬掩膜上，称为（sip(侧壁成像技术）

sadp

SADP的副作用就是，你一次sadp，要经过4个步骤，就是沉积，刻蚀spacer，刻蚀mandrel，转移，问题就是，步骤越多，出现的错误几率越大，能避免就避免，做不好其良率（yield）会很低

这上面是基础，下面是难的（不说的话都是1.35NA的193i，n取9.8（不是）

如何形成三重成像，先用sadp实现线条的倍频（mandrel的曝光与刻蚀）与切割（cut掩曝光与刻蚀）然后在用一次LE来对swdp图形做出修改，

SATP

SATP就是三倍缩小（self aligned triple patterning),简单重复sadpsadp只能得到四倍缩小，即SAQP（SADPSADP)在193i 1.35na 算出半周期为40nm，使用SATP可以做出13.3nm的半周期图形

写一下samp，使用SAMP来满足7nm逻辑节点所需要的一维密集线条是可行的，难度在于切割，以SAQP为例子，其周期为24nm，切割图形的CD必须是24nm，套刻误差必须小于12nm，如何实现cd=24nm，可以使用原位收缩（in situ shrinking）

纳米制程中避免短路，用绝缘体，例如（STI,ILDx,Spacer）

讲一下STI

基本用的都是dual liner

某专利

在俩电晶体中，普通的STI没用，还是会互联，就只能在特定位置的sti位置上再加深点，这就叫dti，用dti后可以在特定的sti位置再加深一些，使得当地的绝缘效果更好一些

用sti的问题就是，再这种地方的电厂会稍微大一点，导致电子入住，可靠性与漏电流都会下降，只能用氢回流软化尖角区，或者用角氧化等方式来去除，最恐怖的其实是在STI CVD填充制成（STI gap fill）中填不满，产生气泡。为了解决这个问题，AMAT发明了HDP（high density plasma） CVD

这玩意还有几个问题，第一就是早期算是，在90nm那批的时候，STI与SI接触不完全，SiOx有缺陷，会导致漏电流增加，早解决了。

90nm出现的问题

新一点呢就在5nm的时候，STI与fin只要有一点接触不完美，漏电流就会特别大，就会出现Trenching，Footing，Imblance，Fin Height Change这四个问题，Trenching就是太深了，有凹进去的地方。有的是sti没有完全recess进去，就是Fin Height Change这个问题

STI这玩意说实在的我没些资料，根据记忆写的，百分百有错的，望指正

上面都是用duv，也就是用ArF来做出193nm的光，在NA孔径不变的情况下，想做出更密的图形，一味的sadp是不行的，必须缩短光的波长，就出现了极紫外光（EUV)其采用了13.5nm的波长，一下子之前的问题全部解决了，根据瑞利公式（分辨率=k1x(波长/NA)可以算出其分辨率特别高 k1的极限是0.25，小于0.25的是不可能的，

这就是为什么要购买duv，直接缩短了10倍！

这个写了，明天发.